מספר מוצר של יצרן:
BSB019N03LX G
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSB019N03LX G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 174A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
מלאי:
12799463
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSB019N03LX G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Ta), 174A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
92 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8400 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
MG-WDSON-2, CanPAK M™
חבילה / מארז
3-WDSON
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000597826
BSB019N03LX G-DG
BSB019N03LXG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R360P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
BSC030N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
IPA65R150CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
